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元件参数资料
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参数目录33033
> EMG11T2R TRANS DUAL NPN 50V 100MA EMT5
型号:
EMG11T2R
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Rohm Semiconductor
描述:
TRANS DUAL NPN 50V 100MA EMT5
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
EMG11T2R PDF
产品目录绘图
EMT-5 Package Top
标准包装
8,000
系列
-
晶体管类型
2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧)
2.2k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧)
47k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
80 @ 10mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
300mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大)
500nA
频率 - 转换
250MHz
功率 - 最大
300mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
EMT5
供应商设备封装
EMT5
包装
带卷 (TR)
其它名称
EMG11T2RTR
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